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AMI Semiconductor / ON Semiconductor
FGA15N120ANTDTU-F109 Image

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siehe Spezifikationen für Produktdetails.

FGA15N120ANTDTU-F109

Hersteller-Teilenummer: FGA15N120ANTDTU-F109
Hersteller / Marke: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Teil der Beschreibung: IGBT 1200V 30A 186W TO3P
Datenblätte: FGA15N120ANTDTU-F109.pdf
RoHs Status: Lead free / RoHS Compliant
Zustand des Lagers: 2558 pcs Stock
ECAD -Modell:
Liefern von: Hong Kong
Versandweg: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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vorrätig: 2558

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10+ $2.569
450+ $1.9389
900+ $1.6966
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  • ArtikelnummerFGA15N120ANTDTU-F109
  • HerstellerAMI Semiconductor / ON Semiconductor
  • BeschreibungIGBT 1200V 30A 186W TO3P
  • KategorieDiskrete Halbleiterprodukte > Transistoren-IGBTs-Einzel
  • Teilstatus2558 pcs Stock
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)1200V
  • VCE (on) (Max) @ Vge, Ic2.4V @ 15V, 15A
  • Testbedingung600V, 15A, 10 Ohm, 15V
  • Td (ein / aus) bei 25 ° C15ns/160ns
  • Schaltenergie3mJ (on), 600µJ (off)
  • Supplier Device-GehäuseTO-3P
  • Serie-
  • Rückwärts-Erholzeit (Trr)330ns
  • Leistung - max186W
  • VerpackungTube
  • Verpackung / GehäuseTO-3P-3, SC-65-3
  • Andere NamenFGA15N120ANTDTU_F109
    FGA15N120ANTDTU_F109-ND
    FGA15N120ANTDTUF109
  • Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
  • BefestigungsartThrough Hole
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-StatusLead free / RoHS Compliant
  • EingabetypStandard
  • IGBT-TypNPT and Trench
  • Gate-Ladung120nC
  • detaillierte BeschreibungIGBT NPT and Trench 1200V 30A 186W Through Hole TO-3P
  • Strom - Collector Pulsed (Icm)45A
  • Strom - Kollektor (Ic) (max)30A
  • FGA15N120ANTDTU-F109 Einzelheiten PDF [English]FGA15N120ANTDTU-F109 PDF - EN.pdf
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